NTF3055L108T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥1.34
5,738
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
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NTF3055L108T1G
ON(安森美)
SOT-223-3

1000+:¥1.34

1+:¥1.46

154

25+
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NTF3055L108T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.3936

1+:¥1.5184

148

25+
1-2工作日发货
NTF3055L108T1G
ON(安森美)
SOT-223-4

50+:¥1.606

30+:¥2.09

154

-
3天-15天
NTF3055L108T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

1000+:¥2.03

500+:¥2.11

100+:¥2.39

30+:¥2.71

10+:¥2.96

1+:¥3.55

2001

-
立即发货
NTF3055L108T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223-3

100+:¥2.5931

1+:¥3.7828

401

2337
现货最快4H发
NTF3055L108T1G
onsemi(安森美)
SOT223

500+:¥5.19

100+:¥5.76

20+:¥6.48

1+:¥8.35

2800

20+
NTF3055L108T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥2.1713

500+:¥2.2649

100+:¥2.452

30+:¥2.6392

1+:¥2.7328

40

-
立即发货
NTF3055L108T1G
安森美(onsemi)
SOT-223-4

10000+:¥5.0816

2000+:¥5.4859

1000+:¥5.7746

500+:¥8.0844

100+:¥11.5492

10+:¥18.7963

40

-
NTF3055L108T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.7472

50+:¥1.8928

1+:¥2.4544

454

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 1.5A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 15 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 440 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA