NTA4153NT1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-523)
¥0.17
397,150
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):915mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
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封装
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NTA4153NT1G
ON(安森美)
SC-75-3

3000+:¥0.17

1+:¥0.192

1985

25+
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NTA4153NT1G
ON(安森美)
SC-75-3

3000+:¥0.1768

1+:¥0.19968

28977

25+
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NTA4153NT1G
ON(安森美)
SC-75-3

3000+:¥0.18093

1000+:¥0.18429

500+:¥0.18765

100+:¥0.19084

10+:¥0.1932

301402

25+
现货
NTA4153NT1G
安森美(onsemi)
SC-75(SOT-523)

30000+:¥0.187

6000+:¥0.2019

3000+:¥0.2125

800+:¥0.2975

200+:¥0.425

10+:¥0.6917

31985

-
NTA4153NT1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

200+:¥0.286

120+:¥0.4446

1985

-
3天-15天
NTA4153NT1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-75

1000+:¥0.3087

100+:¥0.3332

1+:¥0.3568

4225

2208
现货最快4H发
NTA4153NT1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-523)

6000+:¥0.3373

3000+:¥0.3561

500+:¥0.3939

150+:¥0.4411

50+:¥0.504

5+:¥0.6299

13690

-
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NTA4153NT1G
ON(安森美)
SOT416

100+:¥0.4695

20+:¥0.4869

5+:¥0.4956

1021

-
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NTA4153NT1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-523)

30+:¥0.566

10+:¥0.646

5+:¥0.805

11880

20+/21+
NTA4153NT1G
ON(安森美)
SC-75-3

3000+:¥0.2028

1500+:¥0.2288

200+:¥0.26312

1+:¥0.40872

17679

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 915mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 230 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.82 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 110 pF @ 16 V
功率耗散(最大值) 300mW(Tj)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-75,SOT-416