NTA4151PT1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-416)
¥0.1195
306,158
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):760mA(Tj),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
NTA4151PT1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-416)

9000+:¥0.1195

6000+:¥0.1273

3000+:¥0.1431

300+:¥0.1779

100+:¥0.2042

10+:¥0.2567

6120

-
立即发货
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.12009

47574

25+22+21+
1-3工作日发货
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SC-75-3

3000+:¥0.124

1+:¥0.14

47256

25+
立即发货
NTA4151PT1G
安森美(onsemi)
SOT-523

30000+:¥0.127

6000+:¥0.1371

3000+:¥0.1443

800+:¥0.202

200+:¥0.2886

10+:¥0.4697

3881

-
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.12896

1+:¥0.1456

47248

25+
1-2工作日发货
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.1321

2574

22+21+
1-3工作日发货
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SOT416

2000+:¥0.1456

1000+:¥0.1495

500+:¥0.156

100+:¥0.169

30+:¥0.1755

1+:¥0.182

3000

-
立即发货
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.18093

1000+:¥0.18429

500+:¥0.18765

100+:¥0.19084

10+:¥0.1932

90564

22+
现货
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.186

1500+:¥0.21

210+:¥0.243

47256

-
3天-15天
NTA4151PT1G
onsemi(安森美)
SC75

1000+:¥0.39

500+:¥0.47

100+:¥0.79

20+:¥1.12

8525

18+/19+
NTA4151PT1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-75

1+:¥0.5908

2125

-
现货最快4H发
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.1217

1000+:¥0.12396

500+:¥0.12622

100+:¥0.12836

1+:¥0.12995

32

24+
现货
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.12896

1500+:¥0.1456

200+:¥0.16848

1+:¥0.26104

2446

--
1-3工作日
NTA4151PT1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

1+:¥0.49689

3

2333
现货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 760mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 156 pF @ 5 V
功率耗散(最大值) 301mW(Tj)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-75,SOT-416