NTA4001NT1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-416)
¥0.2
129,393
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):238mA(Tj),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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NTA4001NT1G
ON(安森美)
SC-75-3

3000+:¥0.2

1+:¥0.226

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NTA4001NT1G
ON(安森美)
SC-75(SOT-523)

3000+:¥0.208

1+:¥0.23504

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NTA4001NT1G
ON(安森美)
SC-75(SOT-523)

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1000+:¥0.2194

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100+:¥0.2272

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onsemi(安森美)
SC-75(SOT-416)

9000+:¥0.2332

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1870

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ON(安森美)
SC-75(SOT-523)

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NTA4001NT1G
安森美(onsemi)
SOT-523

30000+:¥0.3046

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3000+:¥0.3461

800+:¥0.4845

100+:¥0.6922

20+:¥1.1265

1996

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100+:¥0.402

30+:¥0.443

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5+:¥0.606

225

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ON SEMICONDUCTOR
SC-75

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2116
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ON(安森美)
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3000+:¥1.14377

1000+:¥1.16501

500+:¥1.18625

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10+:¥1.2213

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22+
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NTA4001NT1G
ON(安森美)
SOT-416

2000+:¥0.7929

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500+:¥0.8481

100+:¥0.917

30+:¥0.9515

1+:¥0.986

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 238mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3 欧姆 @ 10mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100µA
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 20 pF @ 5 V
功率耗散(最大值) 300mW(Tj)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-75,SOT-416