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NDT3055
onsemi(安森美)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NDT3055
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥1.11 1+:￥1.16 |
5851 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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NDT3055
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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1000+:￥1.1187 500+:￥1.188 100+:￥1.3068 30+:￥1.6 10+:￥1.82 1+:￥2.33 |
3659 |
-
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立即发货
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立创商城
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NDT3055
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥1.1544 1+:￥1.2064 |
5844 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NDT3055
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ON(安森美)
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TO-261-4,TO-261AA
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4000+:￥1.221 2000+:￥1.276 1000+:￥1.364 100+:￥1.529 30+:￥1.903 |
5851 |
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3天-15天
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唯样商城
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NDT3055
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥2.8701 1000+:￥2.9106 500+:￥2.9511 100+:￥2.9862 10+:￥3.024 |
27345 |
25+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |