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NDS331N
onsemi(安森美)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NDS331N
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FAIRCHILD
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3-SSOT
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1000+:￥0.4214 100+:￥0.4312 1+:￥0.441 |
50915 |
2234
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现货最快4H发
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京北通宇
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NDS331N
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ON(安森美)
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SOT-3
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3000+:￥0.44 1+:￥0.471 |
24218 |
24+
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圣禾堂
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NDS331N
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.45029 1000+:￥0.45865 500+:￥0.46701 100+:￥0.47496 10+:￥0.48081 |
60032 |
24+
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1-3工作日
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硬之城
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NDS331N
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.4556 3000+:￥0.4866 500+:￥0.5382 150+:￥0.6606 50+:￥0.7543 5+:￥0.9731 |
17060 |
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立创商城
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NDS331N
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.4576 1+:￥0.48984 |
22187 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 162 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |