NDS0610
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.2238
198,727
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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NDS0610
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.2238

6000+:¥0.2416

3000+:¥0.2543

800+:¥0.356

100+:¥0.5086

20+:¥0.8277

74682

-
NDS0610
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.229

1+:¥0.259

58319

25+
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NDS0610
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.23816

1+:¥0.26936

55257

25+
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NDS0610
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.2469

500+:¥0.3165

150+:¥0.3558

50+:¥0.4081

5+:¥0.5128

3240

-
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NDS0610
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.2977

1500+:¥0.3367

200+:¥0.3861

90+:¥0.5993

55259

-
3天-15天
NDS0610
onsemi
SOT-23-3

30000+:¥0.3222

15000+:¥0.3516

12000+:¥0.3889

9000+:¥0.4305

6000+:¥0.4653

3000+:¥0.4822

100

2101
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NDS0610
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.3323

9067

2129
现货最快4H发
NDS0610
ON(安森美)
SOT-23

2000+:¥0.4079

1000+:¥0.426

500+:¥0.4512

100+:¥0.5054

20+:¥0.5595

5+:¥0.6137

1122

-
立即发货
NDS0610
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

500+:¥0.22

100+:¥0.25

10+:¥0.3

712

2349+
1工作日
NDS0610
ON Semiconductor
SOT-23-3

3000+:¥0.228

500+:¥0.273

150+:¥0.3007

50+:¥0.3518

5+:¥0.4237

6000

2522+
1工作日
NDS0610
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.23816

1500+:¥0.26936

200+:¥0.30888

1+:¥0.47944

58319

--
1-3工作日
NDS0610
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

150000+:¥0.2405

30000+:¥0.2426

6000+:¥0.2469

3000+:¥0.2555

315000

22+
3-4工作日
NDS0610
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

30000+:¥0.2415

15000+:¥0.2478

9000+:¥0.2562

3000+:¥0.2625

72000

-
3-5工作日
NDS0610
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

50+:¥0.2507

30+:¥0.253

20+:¥0.2576

10+:¥0.2875

1775

21+
3-5工作日
NDS0610
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

3000+:¥0.2559

300+:¥0.2764

100+:¥0.302

30+:¥0.3711

10+:¥0.4658

1+:¥0.4734

14399

21+
1工作日
NDS0610
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

24000+:¥0.2598

12000+:¥0.2643

6000+:¥0.2688

3000+:¥0.2733

60000

25+
3-5工作日
NDS0610
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

30000+:¥0.2645

3000+:¥0.2808

1000+:¥0.336

100+:¥0.4125

290560

21+
3-5工作日
NDS0610
onsemi(安森美)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.253

30+:¥0.265

10+:¥0.271

5+:¥0.276

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 79 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3