NCEP039N10D
NCE(无锡新洁能)
TO-263
¥1.9656
28,491
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):135A,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V,65A
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NCEP039N10D
NCE(新洁能)
TO-263

800+:¥1.9656

1+:¥2.1276

2080

25+
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NCEP039N10D
NCE(新洁能)
TO-263

800+:¥2.002

50+:¥2.167

20+:¥2.827

2080

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NCEP039N10D
NCE(新洁能)
TO-263

800+:¥2.04422

1+:¥2.2127

2079

25+
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NCEP039N10D
NCE(新洁能)
TO-263(D²Pak)

800+:¥2.4

400+:¥2.5

100+:¥2.6

30+:¥3.1

10+:¥3.4

1+:¥4.2

6974

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NCEP039N10D
NCE(新洁能)
TO-263

10+:¥2.47826

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 135A
导通电阻(RDS(on)) 3.5mΩ@10V,65A