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MUN5335DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
数字晶体管
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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MUN5335DW1T1G
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ON(安森美)
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SOT-363
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3000+:￥0.17583 |
63000 |
25+
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1-3工作日发货
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硬之城
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MUN5335DW1T1G
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ON(安森美)
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SOT-363
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3000+:￥0.17583 |
88200 |
25+24+
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1-3工作日发货
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硬之城
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MUN5335DW1T1G
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ON(安森美)
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SOT-363
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3000+:￥0.17583 |
12600 |
24+
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1-3工作日发货
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硬之城
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MUN5335DW1T1G
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ON(安森美)
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SOT-363
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3000+:￥0.17888 1+:￥0.20176 |
7895 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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MUN5335DW1T1G
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安森美(onsemi)
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SOT-363
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30000+:￥0.184 6000+:￥0.1986 3000+:￥0.2091 800+:￥0.2927 100+:￥0.4182 20+:￥0.6806 |
2475 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |