MUN5335DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.17583
201,677
数字晶体管
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):2.2 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧
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MUN5335DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.17583

63000

25+
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MUN5335DW1T1G
ON(安森美)
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3000+:¥0.17583

88200

25+24+
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SOT-363

3000+:¥0.17583

12600

24+
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ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.17888

1+:¥0.20176

7895

25+
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MUN5335DW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

30000+:¥0.184

6000+:¥0.1986

3000+:¥0.2091

800+:¥0.2927

100+:¥0.4182

20+:¥0.6806

2475

-
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ON(安森美)
SC-88

3000+:¥0.258

1500+:¥0.291

200+:¥0.2912

120+:¥0.4498

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3天-15天
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onsemi(安森美)
SOT-363

300+:¥0.2636

100+:¥0.3046

10+:¥0.3866

1550

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onsemi(安森美)
SOT363

500+:¥0.32

100+:¥0.36

20+:¥0.62

5+:¥0.86

18000

20+/21+
MUN5335DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

2000+:¥0.2526

1000+:¥0.2647

500+:¥0.2817

100+:¥0.3181

20+:¥0.3545

5+:¥0.391

30

-
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MUN5335DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.172

1+:¥0.194

7929

25+
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MUN5335DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.17888

1500+:¥0.20176

200+:¥0.23296

1+:¥0.35984

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MUN5335DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-363

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 47 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 250mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363