咨询/建议
1N65G
UMW(友台半导体)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
1N65G
|
UMW(广东友台半导体)
|
SOT-223
|
2500+:￥0.33072 1+:￥0.36088 |
4918 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
1N65G
|
UMW(友台半导体)
|
SOT-223
|
5000+:￥0.3361 2500+:￥0.362 500+:￥0.458 150+:￥0.5228 50+:￥0.6092 5+:￥0.782 |
62655 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
1N65G
|
UMW
|
SOT-223-4
|
1+:￥0.3479 |
245 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
1N65G
|
UMW(友台)
|
SOT-223
|
2500+:￥0.4134 1250+:￥0.4511 110+:￥0.4953 |
4920 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
1N65G
|
UMW(友台半导体)
|
SOT-223
|
100+:￥0.467 30+:￥0.532 10+:￥0.618 5+:￥0.791 |
69695 |
20+/21+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150 pF @ 25 V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |