MMSZ6V8T1G
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.125
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稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
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MMSZ6V8T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.125

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MMSZ6V8T1G
onsemi(安森美)
SOD-123

9000+:¥0.1288

6000+:¥0.1376

3000+:¥0.1553

300+:¥0.1902

100+:¥0.2197

10+:¥0.2786

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3000+:¥0.13

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ON(安森美)
SOD-123

30000+:¥0.1375

6000+:¥0.1485

3000+:¥0.1563

800+:¥0.2188

100+:¥0.3126

20+:¥0.5087

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MMSZ6V8T1G
安森美(onsemi)
SOD-123

30000+:¥0.1375

6000+:¥0.1485

3000+:¥0.1563

800+:¥0.2188

100+:¥0.3126

20+:¥0.5087

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600+:¥0.181

200+:¥0.204

20+:¥0.252

7430

19+/20+
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SOD-123

3000+:¥0.1875

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3天-15天
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15+:¥0.2454

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3000+:¥0.13

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200+:¥0.16952

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7268

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1-3工作日
MMSZ6V8T1G
ON SEMICONDUCTOR
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100+:¥0.1392

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 15 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 2 µA @ 4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOD-123