MMSZ5262BT1G
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.11
70,688
稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):125 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 39 V
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MMSZ5262BT1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.11

1+:¥0.124

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2年内
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MMSZ5262BT1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.1144

1+:¥0.12896

12983

2年内
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MMSZ5262BT1G
ON(安森美)
SOD-123

30000+:¥0.121

6000+:¥0.1306

3000+:¥0.1375

800+:¥0.1925

100+:¥0.275

20+:¥0.4476

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MMSZ5262BT1G
安森美(onsemi)
SOD-123

30000+:¥0.121

6000+:¥0.1306

3000+:¥0.1375

800+:¥0.1925

100+:¥0.275

20+:¥0.4476

13085

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MMSZ5262BT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

100+:¥0.151

1+:¥0.1608

2731

2410
现货最快4H发
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onsemi(安森美)
SOD-123

300+:¥0.1683

100+:¥0.1924

10+:¥0.2408

280

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SOD-123

300+:¥0.179

100+:¥0.207

10+:¥0.257

2550

19+/20+
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SOD-123

3000+:¥0.192

1500+:¥0.2175

210+:¥0.249

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3天-15天
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ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.13312

1500+:¥0.1508

200+:¥0.17264

1+:¥0.26832

13300

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 51 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 125 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 nA @ 39 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOD-123