MMSZ3V6T1G
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.16224
21,345
稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
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MMSZ3V6T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.16224

1+:¥0.18304

5790

25+
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MMSZ3V6T1G
onsemi(安森美)
SOD-123

9000+:¥0.1775

6000+:¥0.1903

3000+:¥0.2157

300+:¥0.2475

100+:¥0.2898

10+:¥0.3746

7550

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ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

1+:¥0.1862

2136

2417
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MMSZ3V6T1G
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SOD-123

3000+:¥0.234

200+:¥0.2626

130+:¥0.4082

5795

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3天-15天
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37+:¥0.3523

10+:¥0.3559

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安森美(onsemi)
SOD-123

37+:¥0.3915

1+:¥0.646

37

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ON(安森美)
SOD-123

37+:¥0.41108

1+:¥0.6783

37

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现货
MMSZ3V6T1G
ON Semiconductor
SOD-123

3000+:¥0.1553

500+:¥0.1704

150+:¥0.1904

50+:¥0.2105

5+:¥0.2506

8495

2507+
1工作日
MMSZ3V6T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.156

1+:¥0.176

6000

25+
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MMSZ3V6T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.1716

1500+:¥0.1936

200+:¥0.2222

1+:¥0.3454

6000

25+
2-4工作日
MMSZ3V6T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-123

24000+:¥0.1938

12000+:¥0.1972

6000+:¥0.2006

3000+:¥0.2125

90000

25+
3-6工作日
MMSZ3V6T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

3000+:¥0.1957

300+:¥0.2133

100+:¥0.2328

30+:¥0.2563

10+:¥0.3111

1+:¥0.3757

12000

25+
1-3工作日
MMSZ3V6T1G
onsemi(安森美)
SOD-123

1381+:¥0.2507

1379+:¥0.2529

1378+:¥0.2572

1377+:¥0.2725

2029

-
6-8工作日
MMSZ3V6T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-123

550+:¥0.4485

330+:¥0.4956

110+:¥0.552

21506

-
14-18工作日
MMSZ3V6T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-123

1500+:¥0.546

750+:¥0.5633

17050

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.6 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 90 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOD-123