MMBZ5230BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1
3,759
稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
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渠道
MMBZ5230BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.1

1+:¥0.127

321

23+
立即发货
MMBZ5230BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.104

1+:¥0.13208

315

23+
1-2工作日发货
MMBZ5230BLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.11

6000+:¥0.1188

3000+:¥0.125

800+:¥0.175

100+:¥0.25

20+:¥0.4069

321

-
MMBZ5230BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1217

1000+:¥0.12396

500+:¥0.12622

100+:¥0.12836

10+:¥0.12995

272

21+
现货
MMBZ5230BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23(SOT-23-3)

600+:¥0.15

200+:¥0.176

20+:¥0.224

120

19+/20+
MMBZ5230BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

600+:¥0.153

200+:¥0.1822

20+:¥0.2347

2080

-
立即发货
MMBZ5230BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

200+:¥0.2613

80+:¥0.6655

321

-
3天-15天
MMBZ5230BLT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.104

1500+:¥0.13208

200+:¥0.20904

1+:¥0.6292

501

--
1-3工作日
MMBZ5230BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.11

1500+:¥0.1397

200+:¥0.2211

1+:¥0.6655

681

23+
2-4工作日
MMBZ5230BLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.1333

6000+:¥0.1356

3000+:¥0.1379

1+:¥0.1413

332

21+
3-5工作日
MMBZ5230BLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥0.0833

9

18+
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 4.7 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 225 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 19 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -65°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3