MMBTA64LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.115
112,223
达林顿管
晶体管类型:PNP - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 100µA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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MMBTA64LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.115

1+:¥0.13

2969

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MMBTA64LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

9000+:¥0.115

6000+:¥0.1232

3000+:¥0.1394

300+:¥0.1598

100+:¥0.1869

10+:¥0.2411

102140

-
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MMBTA64LT1G
ON(安森美)
SOT-23

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MMBTA64LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

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MMBTA64LT1G
ON(安森美)
SOT-23

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MMBTA64LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.5V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 20000 @ 100mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 125MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3