MMBTA14LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.13728
67,702
达林顿管
晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 100µA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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MMBTA14LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.132

1+:¥0.15

16296

25+
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MMBTA14LT1G
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SOT-23

3000+:¥0.13728

1+:¥0.156

16218

25+
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MMBTA14LT1G
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SOT-23

3000+:¥0.14309

9000

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MMBTA14LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

9000+:¥0.1467

6000+:¥0.1552

3000+:¥0.1722

300+:¥0.1934

100+:¥0.2217

10+:¥0.2783

4840

-
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MMBTA14LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.15158

19800

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MMBTA14LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1587

6000+:¥0.1713

3000+:¥0.1803

800+:¥0.2524

100+:¥0.3606

20+:¥0.5589

568

-
三极管(晶体管) MMBTA14LT1G SOT-23(MMBTA14LT1G)
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.17

1000+:¥0.221

20+:¥0.255

5+:¥0.424

1042

20+/21+
MMBTA14LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.198

1500+:¥0.225

200+:¥0.258

150+:¥0.3471

16226

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3天-15天
MMBTA14LT1G
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SOT-23

3000+:¥0.13936

1500+:¥0.15912

200+:¥0.182

1+:¥0.28288

16407

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1-3工作日
MMBTA14LT1G
ON SEMICONDUCTOR
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1+:¥0.1608

6

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2+:¥2.36

1+:¥0.3534

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 300 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.5V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 20000 @ 100mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 125MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3