MMBT5550LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1098
12,196
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):140 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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MMBT5550LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.1098

1448

2308
现货最快4H发
MMBT5550LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.11

1+:¥0.124

1741

25+
立即发货
MMBT5550LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1144

1+:¥0.12896

1737

25+
1-2工作日发货
MMBT5550LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.121

6000+:¥0.1306

3000+:¥0.1375

800+:¥0.1925

100+:¥0.275

20+:¥0.4475

1761

-
MMBT5550LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

1000+:¥0.135

300+:¥0.149

100+:¥0.186

10+:¥0.222

750

22+
MMBT5550LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

600+:¥0.1776

200+:¥0.2076

20+:¥0.2616

2940

-
立即发货
MMBT5550LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

1500+:¥0.186

240+:¥0.216

1761

-
3天-15天
MMBT5550LT1G
ON(安森美)
SOT-23

100+:¥0.1402

30+:¥0.148

10+:¥0.1507

1+:¥0.1638

56

-
立即发货
MMBT5550LT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.113

3000+:¥0.1174

500+:¥0.1292

150+:¥0.1437

50+:¥0.171

5+:¥0.2111

16513

2509+
1工作日
MMBT5550LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1144

1500+:¥0.12896

200+:¥0.14976

1+:¥0.22984

1853

--
1-3工作日
MMBT5550LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.1188

45000+:¥0.1199

3000+:¥0.121

1500+:¥0.1364

200+:¥0.1584

1+:¥0.2431

46903

25+
2-4工作日
MMBT5550LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1333

1000+:¥0.1368

500+:¥0.1403

100+:¥0.375

34298

-
3-6工作日
MMBT5550LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

600+:¥0.1564

200+:¥0.1835

20+:¥0.2402

5521

21+
1-3工作日
MMBT5550LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.17524

1000+:¥0.1785

500+:¥0.18175

100+:¥0.18484

1+:¥0.18712

2

22+
现货
MMBT5550LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

2000+:¥0.179

500+:¥0.1822

100+:¥0.1871

50+:¥0.192

1+:¥0.1953

2

22+
3-4工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 140 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3