MMBF170LT1G-VB
VBsemi(微碧)
SOT-23(TO-236)
¥0.14671
440
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):250mA,导通电阻(RDS(on)):2.8Ω@10V
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MMBF170LT1G-VB
VBsemi(微碧半导体)
SOT-23(TO-236)

9000+:¥0.1467

6000+:¥0.1559

3000+:¥0.1742

300+:¥0.2047

100+:¥0.2353

10+:¥0.2966

440

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立即发货
MMBF170LT1G-VB
VBsemi/微碧半导体
SOT-3

3000+:¥0.146

500+:¥0.1524

300+:¥0.1588

10+:¥0.1715

400000

25+
3-4工作日
MMBF170LT1G-VB
VBsemi/微碧半导体
SOT-3

3000+:¥0.146

500+:¥0.1524

300+:¥0.1588

155+:¥0.1715

400000

25+
4-6工作日
MMBF170LT1G-VB
微碧半导体(VBsemi)
SOT-23

30000+:¥0.165

6000+:¥0.1781

3000+:¥0.1875

800+:¥0.2625

100+:¥0.375

20+:¥0.5813

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 250mA
导通电阻(RDS(on)) 2.8Ω@10V