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MGSF1N03LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MGSF1N03LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.372 1+:￥0.398 |
6815 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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MGSF1N03LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.38688 1+:￥0.41392 |
6814 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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MGSF1N03LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.39849 1000+:￥0.40589 500+:￥0.41329 100+:￥0.42032 10+:￥0.4255 |
162781 |
25+
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现货
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硬之城
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MGSF1N03LT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23-3
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30000+:￥0.4092 6000+:￥0.4417 3000+:￥0.465 800+:￥0.651 100+:￥0.93 20+:￥1.5136 |
6815 |
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油柑网
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MGSF1N03LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.4304 3000+:￥0.4596 500+:￥0.5083 150+:￥0.6748 50+:￥0.7634 5+:￥0.97 |
7270 |
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立即发货
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立创商城
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MGSF1N03LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.4836 1500+:￥0.5174 200+:￥0.5681 80+:￥0.6985 |
6815 |
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3天-15天
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唯样商城
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MGSF1N03LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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30+:￥0.675 10+:￥0.763 1+:￥0.97 |
10370 |
20+/21+
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在芯间
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MGSF1N03LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.42848 1500+:￥0.45968 200+:￥0.50544 1+:￥0.73216 |
7035 |
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1-3工作日
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硬之城
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MGSF1N03LT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3
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1+:￥3.9494 |
9 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140 pF @ 5 V |
| 功率耗散（最大值） | 420mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |