MDD50N03D
MDD(辰达行)
TO-252
¥0.2708
41,168
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V;8.3mΩ@4.5V
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MDD50N03D
MDD(辰达半导体)
TO-252

20000+:¥0.2708

10000+:¥0.2798

2500+:¥0.2933

600+:¥0.4478

200+:¥0.4945

20+:¥0.5852

14120

-
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MDD50N03D
MDD(辰达半导体)
TO-252

2500+:¥0.2912

1+:¥0.33176

8684

25+
1-2工作日发货
MDD50N03D
辰达半导体(MDD)
TO-252

25000+:¥0.2915

5000+:¥0.3147

2500+:¥0.3313

800+:¥0.4638

200+:¥0.6626

10+:¥1.027

2500

-
MDD50N03D
MDD
TO-252

2500+:¥0.3332

1+:¥0.3796

12211

25+
立即发货
MDD50N03D
MDD
TO-252

2500+:¥0.35

600+:¥0.39

200+:¥0.45

20+:¥0.59

2500

22+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 6.5mΩ@10V;8.3mΩ@4.5V