15N10
UMW(友台半导体)
TO-252
¥0.455
56,665
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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15N10
UMW(友台半导体)
TO-252-2

2500+:¥0.455

1+:¥0.496

4445

2年内
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15N10
UMW(广东友台半导体)
TO-252

2500+:¥0.4732

1+:¥0.51584

4360

2年内
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15N10
UMW(友台)
TO-252(DPAK)

2500+:¥0.4786

1000+:¥0.5031

500+:¥0.5082

50+:¥0.7369

5+:¥0.9845

2370

-
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15N10
UMW(友台半导体)
TO-252

5000+:¥0.48

2500+:¥0.4985

500+:¥0.5294

150+:¥0.6417

50+:¥0.7676

5+:¥1.0255

9245

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15N10
UMW
TO-252

100+:¥0.5089

1+:¥0.5175

2198

2349
现货最快4H发
15N10
友台半导体(UMW)
TO-252(DPAK)

2500+:¥0.5262

500+:¥0.7367

50+:¥0.7894

5+:¥1.1252

2370

-
15N10
UMW(友台)
TO-252

2500+:¥0.5915

100+:¥0.6006

60+:¥0.8998

4427

-
3天-15天
15N10
UMW(友台半导体)
TO-252

500+:¥0.614

100+:¥0.741

20+:¥0.807

5+:¥1.008

27250

21+/22+
15N10
UMW(广东友台半导体)
TO-252

2500+:¥0.4732

1250+:¥0.51584

100+:¥0.56784

1+:¥0.85072

4451

--
1-3工作日
UMW 15N10
UMW(友台)
TO-252(DPAK)

2000+:¥0.5085

1000+:¥0.531

500+:¥0.5625

100+:¥0.63

20+:¥0.6975

5+:¥0.765

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15N10
UMW(友台)
TO-252

2500+:¥0.5147

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 110 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 19.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 632 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 55W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63