ISL9V3040S3ST
onsemi(安森美)
TO-263AB
¥5.42181
15,201
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):430 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A,功率 - 最大值:150 W,输入类型:逻辑
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ISL9V3040S3ST
Fairchild(仙童)
--

5000+:¥5.42181

1000+:¥5.9031

500+:¥6.11038

100+:¥6.59167

30+:¥6.95171

1+:¥7.96881

6400

1733
现货
ISL9V3040S3ST
Fairchild(仙童)
--

5000+:¥5.42181

1000+:¥5.9031

500+:¥6.11038

100+:¥6.59167

30+:¥6.95171

1+:¥7.96881

8790

1736
现货
ISL9V3040S3ST
Fairchild(仙童)
--

1000+:¥23.0

500+:¥24.15

100+:¥27.6

15190

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现货
ISL9V3040S3ST
ON SEMICONDUCTOR
D2PAK-3 / TO-263-2

1+:¥13.818

2

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现货最快4H发
ISL9V3040S3ST
onsemi(安森美)
TO-263AB

30+:¥18.18

10+:¥20.3

1+:¥23.86

9

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ISL9V3040S3ST
安森美(onsemi)
TO-263AB

30+:¥33.4133

10+:¥40.096

1+:¥60.1439

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 430 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 21 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 1.6V @ 4V,6A
功率 - 最大值 150 W
输入类型 逻辑
栅极电荷 17 nC
25°C 时 Td(开/关)值 -/4.8µs
测试条件 300V,1 千欧,5V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB