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IRLZ34NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAk
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRLZ34NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAk
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500+:￥3.64 100+:￥3.99 30+:￥4.59 10+:￥5.2 1+:￥6.41 |
737 |
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立即发货
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立创商城
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IRLZ34NSTRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥3.025 1600+:￥3.2656 800+:￥3.4375 400+:￥4.8125 100+:￥6.875 10+:￥10.6563 |
0 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥3.2 1+:￥3.33 |
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圣禾堂
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IRLZ34NSTRLPBF
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INFINEON
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D2PAK
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1+:￥5.8794 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 880 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），68W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |