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IRLR8726TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：86A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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价格(含税)
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IRLR8726TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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4000+:￥0.5319 2000+:￥0.5676 500+:￥0.6269 150+:￥0.7602 50+:￥0.867 5+:￥1.1163 |
6420 |
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥0.5512 1+:￥0.598 |
12692 |
24+
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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2000+:￥0.56 150+:￥0.69 50+:￥0.76 5+:￥0.89 |
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在芯间
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥0.583 4000+:￥0.6294 2000+:￥0.6625 500+:￥0.9275 200+:￥1.325 10+:￥2.0538 |
13694 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO-252(DPAK)
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500+:￥0.77 100+:￥0.812 10+:￥0.896 1+:￥0.931 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 86A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 23 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2150 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |