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IRLR3110ZTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥2.27 1+:￥2.37 |
2018 |
5年内
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立即发货
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圣禾堂
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥2.29 500+:￥2.44 100+:￥3.11 30+:￥3.57 10+:￥4.04 1+:￥4.97 |
2015 |
-
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立即发货
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立创商城
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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400+:￥2.3424 10+:￥3.8784 1+:￥4.7712 |
227 |
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立即发货
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华秋商城
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥2.3608 1+:￥2.4648 |
2008 |
5年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLR3110ZTRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-3
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20000+:￥2.552 4000+:￥2.755 2000+:￥2.9 500+:￥4.06 200+:￥5.8 10+:￥9.4395 |
19352 |
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油柑网
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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30+:￥3.9 10+:￥4.41 1+:￥5.42 |
441 |
20+/21+
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在芯间
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO252
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500+:￥5.24 100+:￥5.5 20+:￥5.71 1+:￥6.84 |
5800 |
17+/18+
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在芯间
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IRLR3110ZTRPBF
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INFINEON
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TO-252
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1+:￥17.248 |
26 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥2.3816 1000+:￥2.496 100+:￥2.7352 1+:￥3.2864 |
2019 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB，TO-252，TO-252-2，TO-263
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2000+:￥2.4444 300+:￥2.64 100+:￥2.6889 30+:￥3.2511 10+:￥3.5689 1+:￥4.1556 |
2580 |
22+
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1工作日
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云汉芯城
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB，TO-252，TO-252-2，TO-263
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2000+:￥2.5648 1000+:￥2.688 100+:￥2.9456 1+:￥3.5392 |
2129 |
24+
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2-4工作日
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云汉芯城
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB，TO-252，TO-252-2，TO-263
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10000+:￥2.6216 5000+:￥2.668 1000+:￥2.7376 10+:￥2.9 |
19352 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB，TO-252，TO-252-2，TO-263
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10000+:￥3.1878 6000+:￥3.2155 4000+:￥3.271 2000+:￥3.465 |
3800 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB，TO-252，TO-252-2，TO-263
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4000+:￥3.795 2000+:￥3.894 500+:￥3.96 10+:￥4.125 |
50000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRLR3110ZTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB，TO-252，TO-252-2，TO-263
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500+:￥6.808 100+:￥7.493 8+:￥8.256 |
26498 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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IRLR3110ZTRPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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TO-220AB，TO-252，TO-252-2，TO-263
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100+:￥0.781 30+:￥1.236 10+:￥1.657 1+:￥2.051 |
8 |
2215+
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1工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 48 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3980 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |