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IRLR2905ZTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRLR2905ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.53 1+:￥1.59 |
5404 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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IRLR2905ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥1.57 500+:￥1.66 100+:￥1.83 30+:￥2.19 10+:￥2.48 1+:￥3.16 |
3174 |
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立即发货
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立创商城
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IRLR2905ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥1.5912 1+:￥1.6536 |
5400 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLR2905ZTRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥1.617 4000+:￥1.7456 2000+:￥1.8375 500+:￥2.5725 200+:￥3.675 10+:￥5.9811 |
38632 |
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油柑网
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IRLR2905ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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500+:￥1.63 100+:￥1.79 20+:￥2.14 1+:￥3.12 |
3254 |
21+/20+
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在芯间
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IRLR2905ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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1+:￥2.4514 |
25 |
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立即发货
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华秋商城
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IRLR2905ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥1.5288 1000+:￥1.6016 100+:￥1.8304 1+:￥2.3816 |
7644 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRLR2905ZTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252
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100000+:￥1.582 20000+:￥1.5961 4000+:￥1.6244 2000+:￥1.6809 |
22000 |
21+
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3-4工作日
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云汉芯城
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IRLR2905ZTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252
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10000+:￥1.6611 5000+:￥1.6905 1000+:￥1.7346 10+:￥1.8375 |
38632 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRLR2905ZTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252
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75+:￥4.6115 45+:￥5.074 15+:￥5.58 |
3841 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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IRLR2905ZTRPBF
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INFINEON
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DPAK
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1+:￥3.2502 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 毫欧 @ 36A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 35 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1570 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |