IRLML9301TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.295
36,462
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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IRLML9301TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(Micro3)

3000+:¥0.295

1+:¥0.333

4823

2年内
立即发货
IRLML9301TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.3068

1+:¥0.34632

4797

2年内
1-2工作日发货
IRLML9301TRPBF
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.3232

6000+:¥0.3489

3000+:¥0.3673

800+:¥0.5142

100+:¥0.7346

20+:¥1.1955

24000

-
IRLML9301TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥0.3801

150+:¥0.4322

50+:¥0.5015

5+:¥0.6402

1700

-
立即发货
IRLML9301TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥0.388

100+:¥0.4094

10+:¥0.4521

1+:¥0.4699

865

-
立即发货
IRLML9301TRPBF
INFINEON
SOT-23-3

1+:¥1.323

277

-
现货最快4H发
IRLML9301TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.30992

1500+:¥0.35152

200+:¥0.40352

1+:¥0.62504

56695

--
1-3工作日
IRLML9301TRPBF
Infineon(英飞凌)
3000,SOT-23,SOT-23-3

60000+:¥0.3282

45000+:¥0.3315

3000+:¥0.3338

1500+:¥0.3786

200+:¥0.4346

1+:¥0.6731

57801

25+
2-4工作日
IRLML9301TRPBF
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23,SOT-23-3

30000+:¥0.3485

15000+:¥0.3575

9000+:¥0.3697

3000+:¥0.3788

24000

-
3-5工作日
IRLML9301TRPBF
Infineon(英飞凌)
3000,SOT-23,SOT-23-3

3000+:¥0.3977

1+:¥0.4775

57760

-
6-8工作日
IRLML9301TRPBF
Infineon Technologies
3000,SOT-23,SOT-23-3

1000+:¥0.4277

500+:¥0.4481

100+:¥0.5137

50+:¥0.5608

10+:¥0.6979

1+:¥0.7875

4777

2405+
1工作日
IRLML9301TRPBF
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23,SOT-23-3

300+:¥0.874

180+:¥0.9676

60+:¥1.056

22882

-
14-18工作日
IRLML9301TRPBF
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23,SOT-23-3

6000+:¥1.15

3000+:¥1.18

500+:¥1.2

10+:¥1.25

62831

-
3-5工作日
IRLML9301TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
3000,SOT-23,SOT-23-3

3000+:¥0.4

300+:¥0.436

100+:¥0.476

30+:¥0.524

10+:¥0.636

1+:¥0.768

3

22+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 64 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 4.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 388 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3