IRLML6402TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.2353
137,447
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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IRLML6402TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

6000+:¥0.2353

3000+:¥0.2512

500+:¥0.2829

150+:¥0.3225

50+:¥0.3753

5+:¥0.4809

58685

-
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IRLML6402TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(Micro3)

3000+:¥0.262

1+:¥0.296

21003

23+
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IRLML6402TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.27248

1+:¥0.30784

20998

23+
1-2工作日发货
IRLML6402TRPBF
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.275

6000+:¥0.2969

3000+:¥0.3125

800+:¥0.4375

200+:¥0.625

10+:¥0.9688

22198

-
IRLML6402TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.276

1500+:¥0.288

600+:¥0.3072

200+:¥0.3312

50+:¥0.3552

10+:¥0.384

3835

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 633 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3