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IRLML6402
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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价格(含税)
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IRLML6402
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UMW(广东友台半导体)
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SOT-23
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1+:￥0.12094 |
2988 |
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现货
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硬之城
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IRLML6402TR
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.122 1+:￥0.138 |
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圣禾堂
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IRLML6402TR
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UMW(广东友台半导体)
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3000+:￥0.12688 1+:￥0.14352 |
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硬之城
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IRLML6402TR(UMW)
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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9000+:￥0.1314 6000+:￥0.1415 3000+:￥0.1618 300+:￥0.1876 100+:￥0.2214 10+:￥0.2889 |
12960 |
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UMW IRLML6402
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UMW(友台)
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SOT-23
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2000+:￥0.165 1000+:￥0.1725 500+:￥0.183 100+:￥0.2055 20+:￥0.228 5+:￥0.2505 |
116 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 633 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |