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IRLML6401TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRLML6401TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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6000+:￥0.2372 3000+:￥0.2527 500+:￥0.3047 150+:￥0.3505 50+:￥0.4033 5+:￥0.5089 |
34455 |
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立创商城
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IRLML6401TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23(Micro3)
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3000+:￥0.245 1+:￥0.277 |
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24+
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圣禾堂
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IRLML6401TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.245 1200+:￥0.2924 600+:￥0.2954 100+:￥0.3831 10+:￥0.4835 |
1733 |
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华秋商城
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IRLML6401TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2548 1+:￥0.28808 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLML6401TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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30000+:￥0.275 6000+:￥0.2969 3000+:￥0.3125 800+:￥0.4375 200+:￥0.625 10+:￥0.9688 |
64099 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 830 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |