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IRLML6344TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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IRLML6344TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23(Micro3)
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3000+:￥0.41 1+:￥0.438 |
477 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4264 1+:￥0.45552 |
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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6000+:￥0.4381 3000+:￥0.4675 500+:￥0.6057 150+:￥0.7159 50+:￥0.8042 5+:￥1.0102 |
7410 |
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.4488 1200+:￥0.5757 600+:￥0.5815 50+:￥0.772 5+:￥0.9699 |
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INFINEON
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SOT-23
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1+:￥0.5292 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |