IRLML5103TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.3051
32,815
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):760mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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IRLML5103TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

6000+:¥0.3051

3000+:¥0.3246

500+:¥0.4464

150+:¥0.4952

50+:¥0.5602

5+:¥0.6903

4055

-
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IRLML5103TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(Micro3)

3000+:¥0.311

1+:¥0.332

24070

23+
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IRLML5103TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.3116

1200+:¥0.4243

600+:¥0.4285

50+:¥0.5378

5+:¥0.6627

1295

-
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IRLML5103TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.32344

1+:¥0.34528

23943

23+
1-2工作日发货
IRLML5103TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.399

30+:¥0.444

10+:¥0.504

5+:¥0.625

3145

20+/21+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 760mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 75 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 540mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3