IRLML2502TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.26
146,096
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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IRLML2502TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.26

1+:¥0.29432

97888

25+
1-2工作日发货
IRLML2502TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(Micro3)

3000+:¥0.266

1+:¥0.299

123125

25+
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IRLML2502TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

6000+:¥0.2697

3000+:¥0.2879

500+:¥0.4738

150+:¥0.5192

50+:¥0.5798

5+:¥0.701

17455

-
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IRLML2502TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.2852

1200+:¥0.4647

600+:¥0.4693

50+:¥0.5745

5+:¥0.6945

7322

-
立即发货
IRLML2502TRPBF
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.319

6000+:¥0.3444

3000+:¥0.3625

800+:¥0.5075

200+:¥0.725

10+:¥1.1238

13421

-

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 740 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3