IRLML2502
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.1685
14,234
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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IRLML2502TR(UMW)
UMW(友台半导体)
SOT-23

9000+:¥0.1685

6000+:¥0.1817

3000+:¥0.208

300+:¥0.241

100+:¥0.2849

10+:¥0.3727

5220

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UMW IRLML2502
UMW(友台)
SOT-23

2000+:¥0.1736

1000+:¥0.1814

500+:¥0.1922

100+:¥0.2155

20+:¥0.2387

5+:¥0.262

1433

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IRLML2502TR
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.207

1000+:¥0.278

500+:¥0.324

20+:¥0.389

3000

24+/25+
IRLML2502TR
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SOT-23

3000+:¥0.2385

200+:¥0.2691

120+:¥0.4173

3587

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IRLML2502
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SOT23

1+:¥0.2793

839

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IRLML2502
友台半导体(UMW)
SOT-23

225+:¥0.2977

100+:¥0.4168

10+:¥0.5158

155

-
IRLML2502
UMW/友台半导体
SOT-23

3000+:¥0.1487

1000+:¥0.1584

500+:¥0.1721

100+:¥0.1859

50+:¥0.2134

1+:¥0.2272

304

2309+
1工作日
IRLML2502TR
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3000+:¥0.159

1+:¥0.18

3642

23+
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UMW/友台半导体

9000+:¥0.1758

6000+:¥0.1868

3000+:¥0.2115

300+:¥0.2395

100+:¥0.2855

10+:¥0.3585

7436

2352+
1工作日
IRLML2502
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SOT-23

9000+:¥0.1764

6000+:¥0.1795

3000+:¥0.1825

180000

24+
5-9工作日
IRLML2502
UMW/友台半导体
SOT-23

9000+:¥0.1764

6000+:¥0.1855

3000+:¥0.2039

300+:¥0.2269

100+:¥0.2576

10+:¥0.3189

2390

2327+
1工作日
IRLML2502
UMW(友台)
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2000+:¥0.1921

1000+:¥0.2006

500+:¥0.2125

100+:¥0.238

20+:¥0.2635

5+:¥0.289

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3000+:¥0.2294

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 300 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3