IRLML2060TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.26
119,142
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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IRLML2060TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(Micro3)

3000+:¥0.26

1+:¥0.294

10905

25+
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IRLML2060TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.2704

1+:¥0.30576

10445

25+
1-2工作日发货
IRLML2060TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.2944

500+:¥0.4124

150+:¥0.4592

50+:¥0.5216

5+:¥0.6464

3105

-
立即发货
IRLML2060TRPBF
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.3047

6000+:¥0.329

3000+:¥0.3463

800+:¥0.4848

200+:¥0.6926

10+:¥1.1272

30000

-
IRLML2060TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.3651

1000+:¥0.37188

500+:¥0.37866

100+:¥0.3851

10+:¥0.38985

60000

21+
现货
IRLML2060TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(SOT-23-3)

30+:¥0.417

10+:¥0.472

5+:¥0.582

2520

20+/21+
IRLML2060TRPBF
INFINEON
SOT-23

5+:¥0.7052

1611

2139
现货最快4H发
IRLML2060TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

100+:¥0.7193

30+:¥0.7578

10+:¥0.7707

1+:¥0.8349

556

-
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IRLML2060TRPBF
Infineon Technologies/IR
3000,MICRO-3,SOT-23,TO-252

150000+:¥0.3101

30000+:¥0.3128

6000+:¥0.3184

3000+:¥0.3295

120000

24+
3-4工作日
IRLML2060TRPBF
Infineon Technologies/IR
3000,MICRO-3,SOT-23,TO-252

12000+:¥0.3277

9000+:¥0.3335

6000+:¥0.3422

3000+:¥0.3625

9000

-
3-5工作日
IRLML2060TRPBF
Infineon Technologies/IR
3000,MICRO-3,SOT-23,TO-252

15000+:¥0.3607

9000+:¥0.367

6000+:¥0.3734

3000+:¥0.3797

300000

-
3-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 480 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.67 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 64 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3