IRLML0060TRPBF-VB
VBsemi(微碧)
SOT-23(TO-236)
¥0.6726
800
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):4A,耗散功率(Pd):1.09W
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IRLML0060TRPBF-VB
VBsemi(微碧半导体)
SOT-23(TO-236)

6000+:¥0.6726

3000+:¥0.713

500+:¥0.8393

150+:¥0.9904

50+:¥1.1114

5+:¥1.3939

800

-
立即发货
IRLML0060TRPBF-VB
VBsemi/微碧半导体
SOT-3

3000+:¥0.5843

500+:¥0.6096

300+:¥0.635

10+:¥0.6858

400000

25+
3-4工作日
IRLML0060TRPBF-VB
VBsemi/微碧半导体
SOT-3

3000+:¥0.5843

500+:¥0.6096

100+:¥0.635

40+:¥0.6858

400000

25+
4-6工作日
IRLML0060TRPBF-VB
微碧半导体(VBsemi)
SOT-23

30000+:¥0.6491

6000+:¥0.7007

3000+:¥0.7376

800+:¥1.0326

100+:¥1.4752

20+:¥2.4009

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-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 4A
耗散功率(Pd) 1.09W