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IRLML0030TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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IRLML0030TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.3172 1+:￥0.34008 |
184 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLML0030TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.3371 1200+:￥0.3748 600+:￥0.3786 50+:￥0.4997 5+:￥0.638 |
8835 |
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立即发货
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华秋商城
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IRLML0030TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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30000+:￥0.374 6000+:￥0.4038 3000+:￥0.425 800+:￥0.595 200+:￥0.85 10+:￥1.3175 |
39060 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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SOT23
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3000+:￥0.381 500+:￥0.426 100+:￥0.562 5+:￥0.725 |
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24+/23+
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在芯间
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IRLML0030TRPBF
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INFINEON
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SOT-23-3
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1+:￥0.4018 |
2657 |
2451
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 382 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |