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IRLL024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-261-4，TO-261AA
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRLL024NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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1000+:￥1.2 500+:￥1.28 100+:￥1.53 30+:￥1.81 10+:￥2.04 1+:￥2.57 |
3824 |
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立即发货
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立创商城
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IRLL024NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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2500+:￥1.2 1+:￥1.25 |
5540 |
2年内
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圣禾堂
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IRLL024NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223-4
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2500+:￥1.248 1+:￥1.3 |
5537 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLL024NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223-4
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500+:￥1.27 100+:￥1.52 20+:￥1.79 1+:￥2.57 |
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22+/23+
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在芯间
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IRLL024NTRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-223
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25000+:￥1.375 5000+:￥1.4844 2500+:￥1.5625 800+:￥2.1875 200+:￥3.125 10+:￥4.8438 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15.6 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 510 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |