IRFZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
¥2.6
4,302
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥2.6

1+:¥2.72

187

2年内
立即发货
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3

800+:¥2.704

1+:¥2.8288

183

2年内
1-2工作日发货
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3

800+:¥2.704

1+:¥2.8288

995

25+
1-2工作日发货
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥2.83

500+:¥3.01

100+:¥4.03

30+:¥4.6

10+:¥5.18

1+:¥6.33

1117

-
立即发货
IRFZ44NSTRLPBF
英飞凌(INFINEON)
D2PAK

8000+:¥2.86

1600+:¥3.0875

800+:¥3.25

400+:¥4.55

100+:¥6.5

10+:¥10.5788

187

-
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
TO263

500+:¥4.12

100+:¥4.39

20+:¥4.96

1+:¥5.65

2563

21+/24+
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D²PAK

100+:¥7.7719

30+:¥8.2247

10+:¥8.3756

1+:¥9.1301

55

-
立即发货
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3

800+:¥2.704

100+:¥2.8288

1+:¥3.536

199

--
1-3工作日
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

24000+:¥2.8896

12000+:¥2.9008

800+:¥2.912

100+:¥3.0464

1+:¥3.808

210

25+
2-4工作日
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

1600+:¥4.945

800+:¥5.074

500+:¥5.16

10+:¥5.375

1000

-
3-5工作日
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

500+:¥9.2443

250+:¥10.1592

100+:¥10.9244

10+:¥11.4978

2+:¥11.8464

728

-
10-15工作日
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

500+:¥9.5795

100+:¥10.5374

6+:¥11.604

3944

-
14-18工作日
IRFZ44NSTRLPBF
INFINEON
D2PAK

1+:¥16.2386

10

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 49A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 17.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1470 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),94W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB