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IRFZ44NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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IRFZ44NPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220-3,TO-220AB
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1000+:￥0.8008 1+:￥0.8684 |
83953 |
25+
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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5000+:￥0.833 2500+:￥0.8611 500+:￥0.9079 150+:￥1.1 50+:￥1.2946 5+:￥1.8216 |
129860 |
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英飞凌(INFINEON)
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500+:￥0.902 100+:￥0.9738 50+:￥1.025 20+:￥1.435 10+:￥2.05 1+:￥3.1775 |
835 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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500+:￥0.98 150+:￥1.18 50+:￥1.38 1+:￥1.92 |
1600 |
24+/25+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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250+:￥1.056 50+:￥1.2428 10+:￥1.7312 1+:￥1.7487 |
2166 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 49A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1470 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 94W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |