IRFZ34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥1.0429
75,766
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFZ34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1+:¥1.0429

2220

-
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IRFZ34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.05

1+:¥1.14

22081

2年内
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IRFZ34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220-3

1000+:¥1.0816

1+:¥1.1648

22079

2年内
1-2工作日发货
IRFZ34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.09

500+:¥1.16

100+:¥1.29

50+:¥1.56

10+:¥1.93

1+:¥2.44

6015

-
立即发货
IRFZ34NPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-220

500+:¥1.232

100+:¥1.33

50+:¥1.4

20+:¥1.96

10+:¥2.8

1+:¥4.557

22081

-
IRFZ34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220(TO-220-3)

500+:¥2.19

100+:¥2.45

20+:¥3.03

1+:¥4.05

1290

22+/23+
IRFZ34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220-3

1000+:¥1.092

50+:¥1.1856

1+:¥1.5392

22514

--
1-3工作日
IRFZ34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

30000+:¥1.1021

20000+:¥1.1133

1000+:¥1.12

50+:¥1.2096

1+:¥1.5792

22519

25+
2-4工作日
IRFZ34NPBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

1000+:¥1.188

62000

24+
7-12工作日
IRFZ34NPBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥1.2211

300+:¥1.3188

100+:¥1.3432

30+:¥1.6241

10+:¥1.7828

1+:¥2.0759

3275

24+
1-3工作日
IRFZ34NPBF
Infineon Technologies
TO-220AB

1000+:¥1.2211

500+:¥1.2785

100+:¥1.3577

50+:¥1.5084

10+:¥1.6281

1+:¥1.7294

1914

2410+
1工作日
IRFZ34NPBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

5000+:¥1.2882

3000+:¥1.3108

2000+:¥1.3334

1000+:¥1.356

6000

-
3-5工作日
IRFZ34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.3334

1+:¥1.5263

21393

-
6-8工作日
IRFZ34NPBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥3.6685

100+:¥4.0356

14+:¥4.452

52943

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 34 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 700 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3