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IRFU9024NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-251(IPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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Infineon(英飞凌)
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TO-251AA(IPAK)
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3000+:￥1.0 1+:￥1.06 |
6109 |
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圣禾堂
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3000+:￥1.04 1+:￥1.1024 |
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硬之城
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975+:￥1.1 525+:￥1.18 75+:￥1.3 30+:￥1.81 10+:￥2.03 1+:￥2.55 |
4559 |
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英飞凌(INFINEON)
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TO-251(IPAK)
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750+:￥1.243 150+:￥1.3419 75+:￥1.4125 40+:￥1.9775 10+:￥2.825 1+:￥4.5977 |
8920 |
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油柑网
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500+:￥4.38 100+:￥4.53 20+:￥5.41 1+:￥6.52 |
1000 |
22+/23+
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在芯间
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3000+:￥1.04 1500+:￥1.1024 750+:￥1.1648 100+:￥1.3 1+:￥1.6328 |
11625 |
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INFINEON
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1+:￥1.3132 |
3 |
18+
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京北通宇
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1000+:￥2.277 500+:￥2.376 100+:￥2.574 30+:￥2.772 1+:￥2.871 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 175 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 38W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |