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IRFR9120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.05 1+:￥1.11 |
13474 |
25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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4000+:￥1.0811 2000+:￥1.1527 500+:￥1.2719 150+:￥1.5396 50+:￥1.7542 5+:￥2.2548 |
6665 |
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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500+:￥1.09 100+:￥1.27 20+:￥1.55 1+:￥1.78 |
2000 |
24+/23+
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在芯间
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥1.092 1+:￥1.1544 |
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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2000+:￥1.1066 800+:￥1.2088 400+:￥1.221 50+:￥1.684 5+:￥2.1646 |
2305 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 27 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |