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IRFR7440TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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IRFR7440TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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1000+:￥1.12 500+:￥1.2 100+:￥1.32 30+:￥1.6 10+:￥1.82 1+:￥2.34 |
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥1.17 100+:￥1.36 20+:￥1.75 1+:￥2.48 |
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24+/23+
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-2
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20000+:￥2.123 4000+:￥2.2919 2000+:￥2.4125 500+:￥3.3775 200+:￥4.825 10+:￥7.4788 |
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油柑网
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1+:￥2.597 |
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 90A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 134 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4610 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |