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IRFR5505TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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IRFR5505TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.07 1+:￥1.14 |
8350 |
24+
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圣禾堂
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IRFR5505TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥1.08 500+:￥1.15 100+:￥1.27 30+:￥1.54 10+:￥1.76 1+:￥2.27 |
3433 |
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立即发货
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立创商城
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IRFR5505TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥1.1128 1+:￥1.1856 |
8349 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFR5505TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2
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500+:￥1.15 100+:￥1.27 20+:￥1.65 1+:￥2.21 |
2000 |
23+/24+
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在芯间
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IRFR5505TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥1.243 4000+:￥1.3419 2000+:￥1.4125 500+:￥1.9775 200+:￥2.825 10+:￥4.5977 |
36162 |
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油柑网
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IRFR5505TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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1+:￥1.3801 |
455 |
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华秋商城
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IRFR5505TRPBF
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INFINEON
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TO-252
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1+:￥3.626 |
17 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRFR5505TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥1.1336 1000+:￥1.2064 100+:￥1.3832 1+:￥1.8096 |
8746 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRFR5505TRPBF
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Infineon Technologies
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TO-252，TO-252-2
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1000+:￥1.16 500+:￥1.2157 100+:￥1.3273 50+:￥1.4202 10+:￥1.4827 1+:￥1.6011 |
8845 |
2506+
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1工作日
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云汉芯城
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IRFR5505TRPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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TO-252，TO-252-2
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2000+:￥1.2056 300+:￥1.302 100+:￥1.3261 30+:￥1.6034 10+:￥1.7601 1+:￥2.0494 |
2177 |
24+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRFR5505TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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16000+:￥1.2244 8000+:￥1.2458 4000+:￥1.2673 2000+:￥1.3425 |
20000 |
25+
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3-6工作日
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云汉芯城
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IRFR5505TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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10000+:￥1.2769 5000+:￥1.2995 1000+:￥1.3334 10+:￥1.4125 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFR5505TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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20000+:￥1.2846 10000+:￥1.3181 6000+:￥1.3627 2000+:￥1.3963 |
18000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFR5505TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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4000+:￥1.725 2000+:￥1.77 500+:￥1.8 10+:￥1.875 |
100000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFR5505TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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75+:￥5.1865 45+:￥5.369 15+:￥5.916 |
71180 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 9.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 57W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |