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IRFR5410TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFR5410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.25 1+:￥1.32 |
1478 |
22+
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圣禾堂
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IRFR5410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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1000+:￥1.2896 500+:￥1.3516 100+:￥1.4756 30+:￥1.5996 1+:￥1.6616 |
7288 |
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华秋商城
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IRFR5410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥1.3 1+:￥1.3728 |
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22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFR5410TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-3
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20000+:￥1.562 4000+:￥1.6863 2000+:￥1.775 500+:￥2.485 200+:￥3.55 10+:￥5.5025 |
42361 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO252
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500+:￥1.57 100+:￥2.03 20+:￥2.39 1+:￥3.25 |
2000 |
22+/23+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 205 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 66W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |