IRFR5305TRLPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
¥1.76
7,423
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFR5305TRLPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK

3000+:¥1.76

1+:¥1.85

3650

25+
立即发货
IRFR5305TRLPBF
Infineon(英飞凌)
D-Pak

3000+:¥1.8304

1+:¥1.924

3643

25+
1-2工作日发货
IRFR5305TRLPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)

100+:¥3.11

30+:¥3.58

10+:¥4.05

1+:¥4.99

130

-
立即发货
IRFR5305TRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
DPAK,TO-252AA

1000+:¥1.9074

500+:¥1.9961

100+:¥2.0935

10+:¥2.173

1+:¥2.2889

994

2441+
1工作日
IRFR5305TRLPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK,TO-252AA

39000+:¥2.0048

18000+:¥2.016

3000+:¥2.0272

1500+:¥2.128

750+:¥2.2624

100+:¥2.5312

1+:¥3.1696

4736

25+
2-4工作日
IRFR5305TRLPBF
Infineon Technologies
DPAK,TO-252AA

1000+:¥2.3537

500+:¥2.5268

100+:¥2.6847

50+:¥3.0139

10+:¥3.3043

1+:¥3.5059

1770

2441+
1工作日
IRFR5305TRLPBF
Infineon Technologies/IR
DPAK,TO-252AA

9000+:¥2.8049

6000+:¥2.8494

3000+:¥2.8939

33000

23+
7-9工作日
IRFR5305TRLPBF
Infineon Technologies/IR
DPAK,TO-252AA

500+:¥5.451

100+:¥5.9944

10+:¥6.6

1534

-
14-18工作日
IRFR5305TRLPBF
Infineon Technologies/IR
DPAK,TO-252AA

1500+:¥7.5758

760+:¥7.8097

20+:¥8.0563

1440

-
10-15工作日
IRFR5305TRLPBF
英飞凌(INFINEON)
DPAK

1000+:¥2.88

500+:¥3.312

100+:¥3.6

30+:¥4.032

10+:¥4.896

1+:¥5.76

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1200 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63