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IRFR4620TRLPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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IRFR4620TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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3000+:￥2.27 1+:￥2.37 |
2806 |
25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥2.31 500+:￥2.44 100+:￥3.31 30+:￥3.76 10+:￥4.21 1+:￥5.12 |
5085 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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3000+:￥2.3608 1+:￥2.4648 |
14795 |
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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30000+:￥2.563 6000+:￥2.7669 3000+:￥2.9125 800+:￥4.0775 200+:￥5.825 10+:￥9.4802 |
15000 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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100+:￥3.4989 30+:￥3.6951 10+:￥3.7605 1+:￥4.0875 |
150 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 78 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 38 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1710 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 144W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |