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IRFR4510TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFR4510TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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500+:￥3.59 100+:￥4.69 20+:￥5.42 1+:￥7.19 |
2000 |
21+/22+
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在芯间
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IRFR4510TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥3.861 4000+:￥4.1681 2000+:￥4.3875 500+:￥6.1425 200+:￥8.775 10+:￥14.2813 |
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油柑网
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IRFR4510TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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100+:￥5.37 30+:￥6.14 10+:￥6.83 1+:￥8.07 |
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立即发货
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立创商城
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IRFR4510TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥3.3 1+:￥3.44 |
35 |
5年内
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圣禾堂
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IRFR4510TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥3.432 1000+:￥3.5776 100+:￥3.9416 1+:￥4.7216 |
35 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 56A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.9 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 81 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3031 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 143W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |